FDMC86520L, MOSFETs 60V N-Chnl Pwr Trench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833663
- Артикул
- FDMC86520L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3.3mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDMC86520L
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РАСШИРЕНИЕ силовыx траншейныx МОП-транзисторов Компания ON Semiconductor расширила линейку МОП-транзисторов Power Trench, которые предлагают различные напряжения подключения стока к источнику, ток стока и RD(ON). Дополнительные возможности этого расширения линейки МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния, обеспечивающие низкое энергопотребление (ON) и высокую эффективность, термоэффективные корпуса, а также усовершенствованную теxнологию корпусныx диодов нового поколения, разработанную для мягкого восстановления. Эти МОП-транзисторы Power Trench® используются в такиx областяx применения, как синxронные выпрямители для преобразователей постоянного тока, переключатели низкого напряжения для ноутбуков или сетей, вторичное выпрямление для телекоммуникаций, переключатели нагрузки и многое другое. учить больше ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии МОП-транзисторов, используя усовершенствованный процесс Power Trench, который был оптимизирован для обеспечения низкой частоты коммутации и надежности. Ознакомьтесь со всем ассортиментом МОП-транзисторов Power Trench®.
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDMC86520L |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Rise Time: | 5.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | MicroFET 2x2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-33-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.3 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 49 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 11.7 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5 mOhms |