Моя заявка (0)

FDMC86520DC,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 40 A, 0.0051 ohm, PQFN, Surface Mount

FDMC86520DC,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 40 A, 0.0051 ohm, PQFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001631216
Артикул
FDMC86520DC
Бренд
ON Semiconductor***
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.5
Цена по запросу
(от 516 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 60 В 17А (Ta), 40А (Tc), 3 Вт (Ta), 73 Вт (Tc) для поверxностного монтажа Dual Cool™ 33

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.5
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 17A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3W(Ta), 73W(Tc)
Supplier Device PackageDual Cool ™ 33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2790 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A(Ta), 40A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0051 Ом

Техническая документация