FDMC8651, MOSFETs 30V N-Channel Power Trench
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029595552
- Артикул
- FDMC8651
- Бренд
- ON Semiconductor***
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±12V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 175,69 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный источник питания для поверxностного монтажа 30 В, 15 А (Ta), 20 А (Tc), 2,3 Вт (Ta), 41 Вт (Tc) 33
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 15A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W(Ta), 41W(Tc) |
| Supplier Device Package | Power33 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27.2 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3365 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A(Ta), 20A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |