Моя заявка (0)

FDMC86324, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 20А, 41Вт, PQFN8, PowerTrench®

FDMC86324, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 20А, 41Вт, PQFN8, PowerTrench®

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062508118
Артикул
FDMC86324
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMC86324
Tradename:
PowerTrench
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® МОП-транзисторы onsemi / Fairchild PowerTrench ® предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти MOSFET-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы при низкиx частотаx включения и повышенной надежности. Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMC86324
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-33-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:41 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:19 S
Rds On - Drain-Source Resistance:23 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация