Моя заявка (0)

FDMC86260, Power MOSFET, Shielded Gate, N Channel, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Surface Mount

FDMC86260, Power MOSFET, Shielded Gate, N Channel, 150 V, 25 A, 0.027 ohm, PQFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001749537
Артикул
FDMC86260
Бренд
ON Semiconductor***
Series
PowerTrenchВ®
FET Type
N-Channel
Packaging
Tape & Reel(TR)
Vgs (Max)
В±20V
Цена по запросу
(от 427 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.

Технические параметры

SeriesPowerTrenchВ®
FET TypeN-Channel
PackagingTape & Reel(TR)
Vgs (Max)В±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.103
FET Feature-
Part StatusActive
Channel TypeN Channel
ManufacturerON Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerWDFN
Base Part NumberFDMC86260
Power Dissipation54Вт
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs34 mOhm @ 5.4A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)2.3W(Ta), 54W(Tc)
Supplier Device PackagePower33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Drain Source On State Resistance0.027Ом
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1330pF @ 75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Непрерывный Ток Стока25А
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C5.4A(Ta), 16A(Tc)
Рассеиваемая Мощность54Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds150В
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.027Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А25
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт54
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.027 Ом

Техническая документация