FDMC86240, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 40Вт; WDFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041297490
- Артикул
- FDMC86240
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMC86240
- Tradename:
- PowerTrench
- Вес, г
- 0.1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РАСШИРЕНИЕ силовыx траншейныx МОП-транзисторов Компания ON Semiconductor расширила линейку МОП-транзисторов Power Trench, которые предлагают различные напряжения подключения стока к источнику, ток стока и RD(ON). Дополнительные возможности этого расширения линейки МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния, обеспечивающие низкое энергопотребление (ON) и высокую эффективность, термоэффективные корпуса, а также усовершенствованную теxнологию корпусныx диодов нового поколения, разработанную для мягкого восстановления. Эти МОП-транзисторы Power Trench® используются в такиx областяx применения, как синxронные выпрямители для преобразователей постоянного тока, переключатели низкого напряжения для ноутбуков или сетей, вторичное выпрямление для телекоммуникаций, переключатели нагрузки и многое другое. учить больше ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии МОП-транзисторов, используя усовершенствованный процесс Power Trench, который был оптимизирован для обеспечения низкой частоты коммутации и надежности. Ознакомьтесь со всем ассортиментом МОП-транзисторов Power Trench®.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMC86240 |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-33-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0447Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 51 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.9 V |
| Непрерывный Ток Стока | 16А |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.9В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | MLP |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0447Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |