FDMC86160,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 43 A, 0.0112 ohm, Power 33, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8366694996
- Артикул
- FDMC86160
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMC86160
- Fall Time:
- 3.4 ns
- Rise Time:
- 3.6 ns
Цена по запросу
(от 940 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® с N-канальным экранированным затвором fdmc8xxxxx N-канальные МОП-транзисторы onsemi FDMC8xxxx с экранированным затвором PowerTrench® производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench от Fairchild Semiconductor, который включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован для обеспечения сопротивления во включенном состоянии при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. МОП-транзисторы FDMC8XXXXX предназначены для использования в системаx преобразования постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMC86160 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Tradename: | PowerTrench Power Clip |
| Вес, г | 0.091 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | Power-33-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 54 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 43 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 43 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.9 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 43 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0112 Ом |