Моя заявка (0)
FDMC86160, MOSFETs 100V N-Chan Pwr Clip PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004673879
Артикул
FDMC86160
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMC86160
Fall Time:
3.4 ns
Rise Time:
3.6 ns
Цена по запросу
(от 292,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® с N-канальным экранированным затвором fdmc8xxxxx N-канальные МОП-транзисторы onsemi FDMC8xxxx с экранированным затвором PowerTrench® производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench от Fairchild Semiconductor, который включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован для обеспечения сопротивления во включенном состоянии при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. МОП-транзисторы FDMC8XXXXX предназначены для использования в системаx преобразования постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMC86160
Fall Time:3.4 ns
Rise Time:3.6 ns
Tradename:PowerTrench Power Clip
Вес, г0.15
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:Power-33-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:15 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:54 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:9.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:43 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:43 S
Rds On - Drain-Source Resistance:21 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.9 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт54
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация