PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMC86116LZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8529879771
- Артикул
- FDMC86116LZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3.3mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 5
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | Power 33 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 19Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 19 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V, 4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 178 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.079Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.5 A |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 7.5А |
| Рассеиваемая Мощность | 19Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Power 33 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.079Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.079 Ом |