Моя заявка (0)
FDMC86116LZ, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061809697
Артикул
FDMC86116LZ
Бренд
ON Semiconductor***
Width
3.3mm
Series
PowerTrench
Pin Count
8
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.

Технические параметры

Width3.3mm
SeriesPowerTrench
Pin Count8
Вес, г0.01
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypePower 33
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation19Вт
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation19 W
Typical Gate Charge @ Vgs2 nC @ 4.5 V, 4 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance178 mΩ
Drain Source On State Resistance0.079Ом
Maximum Continuous Drain Current7.5 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока7.5А
Рассеиваемая Мощность19Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораPower 33
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.079Ом

Техническая документация