Моя заявка (0)
FDMC86102L, MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833652
Артикул
FDMC86102L
Бренд
ON Semiconductor***
Width
3.3mm
Brand:
onsemi/Fairchild
Series
PowerTrench
Series:
FDMC86102L
Цена по запросу
(от 206,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench

Технические параметры

Width3.3mm
Brand:onsemi/Fairchild
SeriesPowerTrench
Series:FDMC86102L
Pin Count8
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.17
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePower 33
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-33-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:41 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation41 W
Typical Gate Charge @ Vgs15 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:26 S
Maximum Drain Source Resistance39 mΩ
Maximum Continuous Drain Current30 A
Rds On - Drain-Source Resistance:23 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация