FDMC86012, MOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833651
- Артикул
- FDMC86012
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 224,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 23A с 8-контактным разъемом питания 33 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.15 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Power 33 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 8 |
| Typical Rise Time (ns) | 11 |
| Особенности | TrenchFET |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2300 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 27@4.5V|16@2.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 43 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 23 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3625@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2.7@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |