Моя заявка (0)
FDMC8554, MOSFETs 20V N-CH PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833649
Артикул
FDMC8554
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Power MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Mounting
Surface Mount
Polarity
N
Цена по запросу
(от 141,75 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench

Технические параметры

TypePower MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count8
Fall Time:7 ns
Rise Time:10 ns
Вес, г0.17
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Package TypeWDFN EP
Rad HardenedNo
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:Power-33-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation2(W)
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:62 nC
Number of Elements1
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Drain-Source On-Volt20(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:2 W
Continuous Drain Current16.5(A)
Gate-Source Voltage (Max)±20(V)
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:62 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.6 mOhms
Operating Temperature ClassificationMilitary
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация