Моя заявка (0)

FDMC8327L, Транзисторы и сборки MOSFET WDFN8

FDMC8327L, Транзисторы и сборки MOSFET WDFN8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038437538
Артикул
FDMC8327L
Бренд
ON Semiconductor***
Width
3.3mm
Brand:
onsemi/Fairchild
Series
PowerTrench
Series:
FDMC8327L
Цена по запросу
(от 82,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.

Технические параметры

Width3.3mm
Brand:onsemi/Fairchild
SeriesPowerTrench
Series:FDMC8327L
Pin Count8
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.06
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePower 33
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-33-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:26 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:30 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation30 W
Typical Gate Charge @ Vgs18.5 nC @ 10 V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance14.5 mΩ
Maximum Continuous Drain Current14 A
Rds On - Drain-Source Resistance:9.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация