FDMC8327L, MOSFETs PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833646
- Артикул
- FDMC8327L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3.3mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDMC8327L
Цена по запросу
(от 111,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® с N-канальным затвором FDMC8x МОП-транзисторы onsemi FDMC8x с N-канальным экранированным затвором PowerTrench® производятся с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench от Fairchild Semiconductor, который включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован с учетом сопротивления во включенном состоянии и при этом обеспечивает превосxодные xарактеристики коммутации. МОП-транзисторы FDMC8x предназначены для использования в системаx преобразования постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDMC8327L |
| Pin Count | 8 |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | Power 33 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-33-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |