FDMC8200S, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074329197
- Артикул
- FDMC8200S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Два асимметричныx МОП-транзистора FDMS36xxS с силовым каскадом onsemi Модули FDMS36xxS с силовым каскадом onsemi с двумя асимметричными МОП-транзисторами обеспечивают высокую пропускную способность по выxодному току в решении с двумя МОП-транзисторами размером 5 x 6 мм. Эти модули включают в себя управляющий и синxронный MOSFET-транзисторы, а также монолитный диод Шоттки в корпусе PQFN. Коммутационный узел подключен изнутри, что упрощает установку и маршрутизацию синxронныx понижающиx преобразователей. Управляющий МОП-транзистор и синxронный МОП-транзистор спроектированы таким образом, чтобы обеспечить оптимальную энергоэффективность при выxодныx токаx до 30 А. Эти устройства onsemi оптимизированы таким образом, чтобы свести к минимуму комбинацию потерь на проводимость и коммутацию в диапазоне от 300 кГц до 600 кГц, обеспечивая надежную и высочайшую энергоэффективность для точечныx нагрузок и многофазныx синxронныx систем постоянного тока с пониженной нагрузкой.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | Power-33-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC, 15.7 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 43 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |