Моя заявка (0)
FDMC8200, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062434530
Артикул
FDMC8200
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
Power Trench MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMC8200
Product:
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 123,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Type:Power Trench MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMC8200
Product:MOSFET Small Signal
Fall Time:1.3 ns, 6 ns
Rise Time:3.1 ns, 4 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-33-8
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:7.3 nC, 16 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1.9 W, 2.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns, 13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:35 ns, 38 ns
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:29 S, 56 S
Rds On - Drain-Source Resistance:16 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация