FDMC8010DC, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017549273
- Артикул
- FDMC8010DC
- Бренд
- ON Semiconductor***
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 144,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор TV Monitor/POE/ Network/Telcom
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | FDMC8010DC |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.28mOhm @ 37A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta) |
| Supplier Device Package | 8-PQFN(3.3x3.3) |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 94nC@15V |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.08nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 37A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Qg - заряд затвора | 94 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7080 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A(Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 157 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.28 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.28mΩ@37A, 10V |