FDMC8010, Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin WDFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002307745
- Артикул
- FDMC8010
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3.3mm
- Series
- PowerTrench
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 242 ₽)
Минимальный заказ: 314 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
Технические параметры
| Width | 3.3mm |
| Series | PowerTrench |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | FDMC8010 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | Power 33 |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 54Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 54 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC, 67 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 900мкОм |
| Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 75А |
| Рассеиваемая Мощность | 54Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 166 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench Power Clip |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | Power 33 |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 900мкОм |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |