FDMC7660, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 20 A, 0.0018 ohm, Power 33, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8174819217
- Артикул
- FDMC7660
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.5
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- FDMC7660
- Высота
- 0.8 mm
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 40А, 41Вт, PQFN8 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.5 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | FDMC7660 |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 5.7 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Время нарастания | 6.8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 163 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0018 Ом |