FDMC7208S, Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 26 A, 26 A, 0.0047 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004132274
- Артикул
- FDMC7208S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench, SyncFET
- Series:
- FDMC7208S
Цена по запросу
(от 390 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Width | 3mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench, SyncFET |
| Series: | FDMC7208S |
| Pin Count | 8 |
| Tradename: | PowerTrench SyncFET |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | Power 33 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-33-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC, 36 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 800mW |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 1.9 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.9 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V, -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, -12 V, +12 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Power Dissipation N Channel | 1.9Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.9Вт |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.13nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A;16A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A, 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 mΩ, 12.4 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A, 16 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms, 6.4 mOhms |
| Линейка Продукции | PowerTrench Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 26А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.9Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0047Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0047Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Power 33 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 26А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 26А |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0047Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9mΩ@12A, 10V |