FDMC7200S, MOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673875
- Артикул
- FDMC7200S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.19
- Длина
- 3 mm
- Серия
- FDMC7200S
- Высота
- 0.8 mm
Цена по запросу
(от 107,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор DUAL N-CH. ER TRENCH MO
Технические параметры
| Вес, г | 0.19 |
| Длина | 3 mm |
| Серия | FDMC7200S |
| Высота | 0.8 mm |
| Ширина | 3 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | TrenchFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor/Fairchild |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A, 13 A |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 22 mOhms, 10 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22 mOhms, 10 mOhms |