Моя заявка (0)
FDMC610P, MOSFETs P-CH PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833623
Артикул
FDMC610P
Бренд
ON Semiconductor***
Series
PowerTrenchВ®
FET Type
P-Channel
Packaging
Cut Tape(CT)
Vgs (Max)
В±8V
Цена по запросу
(от 257,92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор P-CH PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

SeriesPowerTrenchВ®
FET TypeP-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±8V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.03
Длина3.3 mm
СерияFDMC610P
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerON Semiconductor
Высота0.8 mm
Ширина3.3 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада87 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 22A, 4.5V
ОсобенностиTrenchFET
Power Dissipation (Max)2.4W(Ta), 48W(Tc)
Supplier Device PackagePower33
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle Quad Drain Triple Source
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокPower-33-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs99nC @ 4.5V
Тип транзистора1 P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Время нарастания37 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C80A(Tc)
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности2.4 W
Id - непрерывный ток утечки80 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки3000
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения193 ns
Типичное время задержки при включении24 ns
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0028 Ом

Техническая документация