Моя заявка (0)

FDMC510P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -18А, 41Вт, MLP8, PowerTrench®

FDMC510P, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -18А, 41Вт, MLP8, PowerTrench®

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017540927
Артикул
FDMC510P
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series
PowerTrenchВ®
Series:
FDMC510P
FET Type
P-Channel
Цена по запросу
(от 190,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -18А, 41Вт, MLP8, PowerTrench®

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
SeriesPowerTrenchВ®
Series:FDMC510P
FET TypeP-Channel
PackagingCut Tape(CT)
Vgs (Max)В±8V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.07
FET Feature-
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerON Semiconductor
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / Case8-PowerWDFN
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-33-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:116 nC
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250ВµA
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 12A, 4.5V
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:41 W
Power Dissipation (Max)2.3W(Ta), 41W(Tc)
Supplier Device Package8-MLP(3.3x3.3)
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Id - Continuous Drain Current:18 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7860pF @ 10V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C12A(Ta), 18A(Tc)
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В41
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт41
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация