Моя заявка (0)

FDMC4435BZ,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Surface Mount

FDMC4435BZ,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, MLP, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046360242
Артикул
FDMC4435BZ
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMC4435BZ
Fall Time:
20 ns
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 192 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Fairchild PowerTrench

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMC4435BZ
Fall Time:20 ns
Rise Time:6 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.086
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-33-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:53 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:34 ns
Id - Continuous Drain Current:8.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.015 Ом

Техническая документация