FDMC3612, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 16А; 35Вт; WDFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541891
- Артикул
- FDMC3612
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 3.3mm
- Series
- PowerTrench
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 78,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 3.3mm |
| Series | PowerTrench |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | Power 33 |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 2.3(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Power Dissipation (Pd) | 35W |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 3.3(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14.4 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 212 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 110mΩ@10V, 3.3A |