Моя заявка (0)
FDMC2610, MOSFETs 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004833617
Артикул
FDMC2610
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMC2610
Fall Time:
16 ns
Цена по запросу
(от 288,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMC2610
Fall Time:16 ns
Rise Time:13 ns
Tradename:UltraFET
Вес, г0.17
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:Power-33-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:18 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:17 ns
Typical Turn-Off Delay Time:29 ns
Id - Continuous Drain Current:9.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:7 S
Rds On - Drain-Source Resistance:200 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:200 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация