Моя заявка (0)
FDMC012N03, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061937861
Артикул
FDMC012N03
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.01
Длина
3.3 mm
Серия
FDMC012N03
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 184,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PT9 N-ch 30V/12V Power Trench МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г0.01
Длина3.3 mm
СерияFDMC012N03
Channel TypeN Channel
Высота0.8 mm
Ширина3.3 mm
Power Dissipation64Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада4.5 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокPower-33-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора78 nC
Время нарастания5.5 ns
Drain Source On State Resistance960мкОм
Линейка ПродукцииPowerTrench
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока185А
Рассеиваемая Мощность64Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.3В
Pd - рассеивание мощности64 W
Id - непрерывный ток утечки35 A
Коммерческое обозначениеPower Clip
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения43 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)960мкОм
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.220 S

Техническая документация