FDMC010N08C, MOSFETs PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005369257
- Артикул
- FDMC010N08C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- null
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 3 ns
Цена по запросу
(от 470,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти МОП-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы с низким уровнем коммутации RDS (ON). Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Power-33-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.4W;52W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@40V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A;51A |
| Id - Continuous Drain Current: | 51 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 35 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@90uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 51 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10mΩ@16A, 10V |