Моя заявка (0)

FDMC007N08LCDC, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Surface Mount

FDMC007N08LCDC, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 64 A, 0.0068 ohm, QFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000943340
Артикул
FDMC007N08LCDC
Бренд
ON Semiconductor***
Width
3.4mm
Pin Count
8
Вес, г
0.1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 850 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот N-канальный MV-МОП-транзистор изготовлен с использованием передового теxнологического процесса PowerTrench® от Fairchild Semiconductor, который включает теxнологию экранированныx затворов.

Технические параметры

Width3.4mm
Pin Count8
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypePQFN8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation57Вт
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1.3V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation57 W
Typical Gate Charge @ Vgs31 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance6.8 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0051Ом
Maximum Continuous Drain Current22 A
Линейка ПродукцииPowerTrench
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока64А
Рассеиваемая Мощность57Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds80В
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0051Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А64
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт57
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0068 Ом

Техническая документация