Моя заявка (0)
FDMB3900AN, Trans MOSFET N-CH 25V 7A 8-Pin WDFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002307737
Артикул
FDMB3900AN
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Минимальный заказ: 783 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 25V 7A с 8-контактным разъемом WDFN EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationDual Dual Drain
Package Width1.9
Package Length3
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageWDFN EP
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Standard Package NameDFN
Power Dissipation (Pd)800mW
Typical Fall Time (ns)3
Typical Rise Time (ns)3
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)17nC@10V
Number of Elements per Chip2
Input Capacitance (Ciss@Vds)890pF@13V
Continuous Drain Current (Id)7A
Maximum Power Dissipation (mW)1600
Typical Gate Charge @ 10V (nC)11
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)7@5V|11@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6
Maximum Drain-Source Voltage (V)25
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)650@13V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)23@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация