FDMB2308PZ, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062515341
- Артикул
- FDMB2308PZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMB2308PZ
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 262,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMB2308PZ |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | P |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 58 ns |
| Rise Time: | 33 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | WDFN EP |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | MicroFET-6 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Power Dissipation | 2.2(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Number of Elements | 2 |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Drain-Source On-Volt | 20(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.2 W |
| Continuous Drain Current | 7(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±12(V) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 74 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 29 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 36 mOhms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |