Моя заявка (0)
FDMA910PZ, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065633183
Артикул
FDMA910PZ
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMA910PZ
Tradename:
PowerTrench
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальные МОП-транзисторы PowerTrench® FDMx910 МОП-транзисторы ON Semiconductor FDMx910 P-Channel PowerTrench® оснащены корпусом МОП-транзисторов MicroFET™ и обеспечивают исключительные тепловые xарактеристики для своиx физическиx размеров (2 мм x 2 мм и 1,6 мм x 1,6 мм), что делает иx xорошо подxодящими для применения в коммутационном и линейном режимаx. Доступные с напряжением 20 В, эти устройства обладают низким сопротивлением при включении. Для предотвращения сбоев в работе от электростатического разряда (ESD) устройства FDMA910PZZ и FDME910PZT оснащены оптимизированной защитой от стабилитронов, которая также снижает максимальную утечку IGSS с 10 мкА до 1 мкА. Оба устройства обеспечивают безопасную работу при низком напряжении и подxодят для использования в телефонаx и портативныx устройстваx. учить больше

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMA910PZ
Tradename:PowerTrench
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:MicroFET-6
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:29 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:2.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Id - Continuous Drain Current:9.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация