Моя заявка (0)

FDMA905P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -10А; 2,4Вт; WDFN6

FDMA905P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -10А; 2,4Вт; WDFN6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062061087
Артикул
FDMA905P
Бренд
ON Semiconductor***
Width
2mm
Series
PowerTrench
Pin Count
6
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 42 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -12V Single P-Chan PowerTrench МОП-транзистор

Технические параметры

Width2mm
SeriesPowerTrench
Pin Count6
Вес, г0.1
Длина2 mm
СерияFDMA905P
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeMicroFET 2x2
Высота0.75 mm
Ширина2 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation2.4 W
Typical Gate Charge @ Vgs21 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокMicroFET-6
Maximum Drain Source Voltage12 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Qg - заряд затвора29 nC
Maximum Drain Source Resistance82 mΩ
Maximum Continuous Drain Current10 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности900 mW
Id - непрерывный ток утечки10 A
Коммерческое обозначениеPowerTrench
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток16 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V

Техническая документация