FDMA86551L, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8586140268
- Артикул
- FDMA86551L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- null
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 1.4 ns
- Rise Time:
- 1.7 ns
Цена по запросу
(от 212 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В 7,5 А 2,4 Вт 23mOhm@7.5A, 10 В 3 В при 250uA нулевые МОП-транзисторы VDFN-6(2x2) ROHS
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 1.4 ns |
| Rise Time: | 1.7 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | MicroFET-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.4W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.235nF@30V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7.3 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 23mΩ@7.5A, 10V |