Моя заявка (0)

FDMA86551L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,5А; 2,4Вт; WDFN6

FDMA86551L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,5А; 2,4Вт; WDFN6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061878165
Артикул
FDMA86551L
Бренд
ON Semiconductor***
Type
null
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
1.4 ns
Rise Time:
1.7 ns
Цена по запросу
(от 79 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 7,5 А 2,4 Вт 23mOhm@7.5A, 10 В 3 В при 250uA нулевые МОП-транзисторы VDFN-6(2x2) ROHS

Технические параметры

Typenull
Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:1.4 ns
Rise Time:1.7 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:MicroFET-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)2.4W
Pd - Power Dissipation:2.4 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)17nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.235nF@30V
Typical Turn-Off Delay Time:7.3 ns
Continuous Drain Current (Id)7.5A
Id - Continuous Drain Current:7.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:35 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V

Техническая документация