Моя заявка (0)
FDMA86551L, MOSFETs 60V Single N-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005442748
Артикул
FDMA86551L
Бренд
ON Semiconductor***
Type
null
Brand:
onsemi/Fairchild
Fall Time:
1.4 ns
Rise Time:
1.7 ns
Цена по запросу
(от 146,16 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти МОП-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы с низким уровнем коммутации RDS (ON). Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Typenull
Brand:onsemi/Fairchild
Fall Time:1.4 ns
Rise Time:1.7 ns
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:MicroFET-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:12 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)2.4W
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:2.4 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)17nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:16 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.235nF@30V
Typical Turn-Off Delay Time:7.3 ns
Continuous Drain Current (Id)7.5A
Id - Continuous Drain Current:7.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:35 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.8 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация