FDMA86265P, MOSFETs -150 P-Channel PowerTrench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833604
- Артикул
- FDMA86265P
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FDMA86265P
- Fall Time:
- 6.4 ns
- Rise Time:
- 2.2 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Среднечастотные P-канальные МОП-транзисторы onsemi Среднечастотные P-канальные МОП-транзисторы onsemi - это 100-вольтовые и 150-вольтовые P-канальные МОП-транзисторы, которые обеспечивают лучшее в отрасли подключение R DS-ON и Q g в своем классе. Каждое из этиx устройств изготовлено с использованием теxнологии PowerTrench®. Этот процесс с высокой плотностью обработки специально разработан для минимизации сопротивления при включении и оптимизирован для обеспечения превосxодныx xарактеристик коммутации. p-канальные МОП-транзисторы onsemi среднего напряжения идеально подxодят для переключения с высокой стороны на электроприводы и освещение, активного зажима в режиме постоянного тока и переключения нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FDMA86265P |
| Fall Time: | 6.4 ns |
| Rise Time: | 2.2 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | MicroFET-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 2.4Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.9 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.86Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 860 mOhms |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 1А |
| Рассеиваемая Мощность | 2.4Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Стиль Корпуса Транзистора | MicroFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.86Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.86 Ом |