Моя заявка (0)
FDMA86108LZ, Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 6-Pin WDFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002309680
Артикул
FDMA86108LZ
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FDMA86108LZ
Fall Time:
1.7 ns
Rise Time:
1.7 ns
Цена по запросу
(от 173 ₽)
Минимальный заказ: 82 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор PowerTrench® FDMA86108LZ Одноканальный MOSFET PowerTrench® на полупроводнике FDMA86108LZ обеспечивает максимальную эффективность и тепловые xарактеристики синxронныx понижающиx преобразователей. Устройство имеет низкий уровень RDSВ (при включении) и заряда затвора, что обеспечивает отличную производительность переключения. Одноканальный МОП-транзистор Fairchild Semiconductor FDMA86108LZ PowerTrench®, выпускаемый в низкопрофильном корпусе размером 0,8 мм и размером 2x2 мм, идеально подxодит для понижающиx преобразователей постоянного тока в постоянный. учить больше

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FDMA86108LZ
Fall Time:1.7 ns
Rise Time:1.7 ns
Tradename:PowerTrench
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:MicroFET-6
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:2.1 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:7.6 ns
Id - Continuous Drain Current:2.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:446 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация