FDMA8051L,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 10 A, 0.011 ohm, WDFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001631140
- Артикул
- FDMA8051L
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 2mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- PowerTrench
- Series:
- FDMA8051L
Цена по запросу
(от 106 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semi предлагает обширный ассортимент устройств на МОП-транзистораx, который включает в себя высоковольтные (>250 В) и низковольтные (<250 В) типы.
Технические параметры
| Width | 2mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | PowerTrench |
| Series: | FDMA8051L |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 1.8 ns |
| Rise Time: | 1.8 ns |
| Tradename: | PowerTrench |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | MicroFET 2x2 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | MicroFET-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.4 W, 900 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 19 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом |