Моя заявка (0)

FDMA507PZ, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -7,8А, 2,4Вт, MicroFET

FDMA507PZ, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -7,8А, 2,4Вт, MicroFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024688852
Артикул
FDMA507PZ
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -7,8А, 2,4Вт, MicroFET

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г0.11
PCB changed6
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle Quad Drain
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageMLP EP
Process TechnologyTMOS
СтруктураMOSFET
Standard Package NameQFN
Typical Fall Time (ns)96
Typical Rise Time (ns)14
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2400
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)30 5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.4
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)192
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)7.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1515 10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)24 5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В2.4
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация