Моя заявка (0)
FDMA507PZ, MOSFETs 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006279016
Артикул
FDMA507PZ
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 77,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -7,8А, 2,4Вт, MicroFET

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г67
PCB changed6
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle Quad Drain
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageMLP EP
Process TechnologyTMOS
СтруктураP-Channel
Standard Package NameQFN
Typical Fall Time (ns)96
Typical Rise Time (ns)14
ОсобенностиTrenchFET
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2400
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)30 5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.4
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)192
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)7.8
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1515 10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)24 5V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация