FDMA430NZ Digital Transistor, 6-Pin MicroFET 2 x 2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014513793
- Артикул
- FDMA430NZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.05
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот одноканальный N-канальный МОП-транзистор был разработан с использованием усовершенствованного процесса преобразования мощности для оптимизации RDS(on) при VGS=2.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | MicroFET 2x2 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Width | 2mm |
| Product Height | 0.95mm |
| Product Length | 2mm |
| Supplier Package | MLP EP |
| Typical Fall Time | 6ns |
| Typical Rise Time | 7.1ns |
| разрешение | Power MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 2.4W |
| Особенности | - |
| конфигурация | Single; Quad Drain |
| Maximum Power Dissipation | 2.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.3nC |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.3ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 18.1ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 800pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Drain Source Resistance | 40m? |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 600pF |
| Maximum Continuous Drain Current | 5A |
| монтаж (установка) | Surface Mount |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 900mW |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@5A, 4.5V |