FDMA410NZT-F130, Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043402658
- Артикул
- FDMA410NZT-F130
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Category
- Power MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 100 ₽)
Минимальный заказ: 858 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 20V 9.5A с 6-контактным разъемом UDFN EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Category | Power MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Obsolete |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2.05 |
| Package Length | 2.05 |
| Supplier Package | UDFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 3.3 |
| Typical Rise Time (ns) | 3 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2400 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.5 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 935@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 23@4.5V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |