FDMA410NZ, MOSFETs 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833597
- Артикул
- FDMA410NZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 3.7 ns
- Rise Time:
- 3.9 ns
- Вес, г
- 0.04
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 3.7 ns |
| Rise Time: | 3.9 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | MicroFET-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.4W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 14nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.08nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 9.5A |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +10 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |