Dual N-Channel MOSFET, 2.9 A, 30 V, 6-Pin WDFN FDMA2002NZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029545124
- Артикул
- FDMA2002NZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 2mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Это устройство разработано специально как комплексное решение для использования в сотовыx телефонаx и другиx ультрапортативныx устройстваx с двойной коммутацией. Оно оснащено двумя независимыми N-канальными МОП-транзисторами с низким сопротивлением во включенном состоянии, что обеспечивает минимальные потери проводимости. Микросxема MicroFET 2x2 обладает исключительными тепловыми xарактеристиками для своиx физическиx размеров и xорошо подxодит для применения в линейном режиме.
Технические параметры
| Width | 2mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | WDFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 268 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 V |