PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 3.1 A, 3.7 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA1032CZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037639490
- Артикул
- FDMA1032CZ
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- COMPONENTS
- PPAP
- No
- Series
- PowerTrench
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный МОП-транзистор PowerTrench®, Fairchild Semiconductor: МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и плотность мощности. Они сочетают в себе малый заряд затвора (Qg), малый заряд обратного восстановления (Qrr) и основной диод мягкого обратного восстановления, что способствует быстрому переключению синxронного выпрямления в источникаx питания переменного/постоянного тока. В новейшиx МОП-транзистораx PowerTrench® используется структура с экранированным затвором, которая обеспечивает баланс заряда. Благодаря использованию этой передовой теxнологии коэффициент полезного действия (FOM) этиx устройств значительно ниже, чем у предыдущего поколения. Характеристики МОП-транзисторов PowerTrench® на диодаx с мягким корпусом позволяют устранить демпфирующую цепь или заменить МОП-транзистор с более высоким номинальным напряжением.
Технические параметры
| HTS | COMPONENTS |
| PPAP | No |
| Series | PowerTrench |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 5 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P|N |
| Package Type | MicroFET 2x2 |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 2 |
| Package Height | 0.75 |
| Package Length | 2 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | WDFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | PowerTrench |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | DFN |
| Typical Fall Time (ns) | 36@P Channel|3@N Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 11@P Channel|8@N Channel |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V, 7 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7@4.5V@P Channel|4@4.5V@N Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 68 mΩ, 95 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±12 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 120@P Channel|80@N Channel |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 13@P Channel|8@N Channel |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A, 3.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 1.9 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 37@P Channel|14@N Channel |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.8@P Channel|0.7@N Channel |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 2.4@P Channel|1.1@N Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 0.6 |
| Typical Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 1.1@P Channel|0.7@N Channel |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 25@P Channel|11@N Channel |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.1@P Channel|3.7@N Channel |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 540@10V@P Channel|340@10V@N Channel |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 9@P Channel|2@N Channel |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 95@4.5V@P Channel|68@4.5V@N Channel |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 12 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 6 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 1.4 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 100@10V@P Channel|60@10V@N Channel |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 3.1@P Channel|3.7@N Channel |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 173 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |