Моя заявка (0)
FDMA1029PZ, MOSFETs -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005442742
Артикул
FDMA1029PZ
Бренд
ON Semiconductor***
Type:
MOSFET
Brand:
onsemi/Fairchild
Product:
MOSFET Small Signals
Fall Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 77,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® onsemi / Fairchild предлагают широкий ассортимент МОП-транзисторов в отрасли. Эти МОП-транзисторы имеют как N-канальную, так и P-канальную версии, оптимизированные для работы с низким уровнем коммутации RDS (ON). Типичные области применения включают переключатели нагрузки, первичную коммутацию, мобильные компьютеры, преобразователи постоянного тока в постоянный и синxронные выпрямители.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:onsemi/Fairchild
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:11 ns
Rise Time:11 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Package/Case:MicroFET-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:10 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиTrenchFET
Pd - Power Dissipation:1.4 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:3.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:-11 S
Rds On - Drain-Source Resistance:60 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация