FDH44N50, MOSFETs Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004833574
- Артикул
- FDH44N50
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.82mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- UniFET
Цена по запросу
(от 1 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.82mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | UniFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 79 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 84 ns |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 108 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Power Dissipation (Pd) | 750W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 750 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 750 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 108nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.335nF@25V |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 44A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 11 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 750 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12Ом |