FDH3632, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 800мА, 310Вт, TO247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008523211
- Артикул
- FDH3632
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 46 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 39 ns
Цена по запросу
(от 950 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 800мА, 310Вт, TO247
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 46 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 39 ns |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FDH3632_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 310 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |